2.1 模式二次电子分辨率:
2.1.1. 高真空模式15KV 电压二次电子分辨率:小于等于1.0nm@15KV(SE)
2.1.2. 高真空模式1KV电压二次电子分辨率:小于等于1.4nm@1KV(SE,非减速模式)
2.2 低真空模式二次电子分辨率:
2.2.1. 低真空模式10KV电压二次电子分辨率:小于等于1.5nm@10KV
2.2.2. 低真空模式3KV电压二次电子分辨率:小于等于1.8nm@3KV
2.3 要求100V低电压下,背散射电子像分辨率:小于等于3.5nm@100V(配备高灵敏度、低电压取向背散射探测器)